具有外延源区和漏区的金属栅晶体管

专利权的终止

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摘要

本发明公开一种具有外延源区和漏区的金属栅晶体管。描述了形成于重掺杂的衬底上的MOS晶体管。在低温处理中使用金属栅以防止衬底的掺杂扩散到晶体管的沟道区。

基本信息

专利标题：

具有外延源区和漏区的金属栅晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN103560150A

申请号：

CN201310419494.2

公开（公告）日：

2014-02-05

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

N·林德特J·布拉斯克A·韦斯特梅耶

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

姬利永

优先权：

CN201310419494.2

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/49

法律状态

2020-09-18 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20170111
终止日期 : 20190929

2017-01-11 ：

授权

2014-03-12 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101576330041
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2013104194942
申请日 : 20050929

2014-02-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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