具有台阶型源/漏区的器件
授权
摘要
本发明的实施例提供了具有台阶源/漏区的晶体管。台阶源/漏区可在沟道区中实现显著的应变并使电流泄漏最小化。通过在衬底中形成两个凹槽来产生台阶凹槽并在凹槽中形成源/漏区，从而形成台阶源/漏区。
基本信息
专利标题 ：
具有台阶型源/漏区的器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133482A
申请号 ：
CN200680006841.7
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·库尔洛B·泽尔S·泰亚吉C·奥思
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
曾祥夌
优先权 ：
CN200680006841.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2011-06-08 ：
授权
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101133482A.PDF
PDF下载
2、
CN101133482B.PDF
PDF下载
