源极、漏极和栅极同步制备的GaN HEMT器件

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摘要

本实用新型公开了一种源极、漏极和栅极同步制备的GaN HEMT器件，所述器件包括从下到上依次分布的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层的上表面的两端连接源极和漏极，源极和漏极之间的势垒层上表面上分布一层绝缘层，绝缘层的上表面连接栅极，源极和漏极与沟道层分别形成欧姆接触，源极和漏极的高度相等，且高于栅极的高度。源极、漏极和栅极同步制备的GaN HEMT器件克服现有制备工艺需要分两步制备源漏极和栅极的缺点，不存在传统光刻技术的光衍射效应，可快速地制造出尺寸精度高的微纳图案。而且源极、漏极和栅极同步制备无需对准和二次光刻步骤，可实现非常精确的尺寸控制，器件的线宽可低至50 nm，操作步骤简单，适用于工业生产。

基本信息

专利标题：

源极、漏极和栅极同步制备的GaN HEMT器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921141428.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-19

授权号：

CN210607267U

授权日：

2020-05-22

发明人：

李国强阙显沣王文樑姚书南

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

广东省广州市天河区五山路381号

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司

代理人：

何淑珍

优先权：

CN201921141428.2

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L21/335