多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法
公开
摘要
本公开涉及多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法。本文公开了用于增强多栅极器件(例如，鳍状场效应晶体管(FET)或栅极全环绕(GAA)FET)的性能的外延源极/漏极结构，以及制造外延源极/漏极结构的方法。一种示例性器件包括电介质衬底。该器件还包括沟道层、设置在沟道层之上的栅极、以及设置为与沟道层相邻的外延源极/漏极结构。沟道层、栅极和外延源极/漏极结构被设置在电介质衬底之上。外延源极/漏极结构包括具有第一掺杂剂浓度的内部部分和具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度的外部部分。内部部分与电介质衬底实体地接触，并且外部部分被设置在内部部分和沟道层之间。在一些实施例中，外部部分与电介质衬底实体地接触。
基本信息
专利标题 ：
多栅极器件的外延源极/漏极结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613728A
申请号 ：
CN202210108935.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李振铭吴以雯黄柏瑜杨复凯王美匀
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202210108935.6
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L29/417
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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