发光二极管外延片及其制造方法
授权
摘要
本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，所述发光二极管外延片还包括位于所述低温缓冲层和所述高温缓冲层之间的插入层，所述插入层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为石墨烯层，所述第二子层为多个周期交替生长的Al膜和Ag膜。该发光二极管外延片可以减少低温缓冲层对于光的吸收损失，从而可以提高二极管的出光效率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管外延片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113161462A
申请号 ：
CN202110104648.3
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2021-01-26
授权号 ：
CN113161462B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
姚振从颖董彬忠李鹏
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110104648.3
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/46 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20210126
申请日 : 20210126
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
