形成西格玛形状源极/漏极晶格的方法、设备及系统

授权

摘要

本发明涉及形成西格玛形状源极/漏极晶格的方法、设备及系统，其揭示形成一西格玛形状源极/漏极晶格的方法、设备及系统中的至少一种。一鳍片形成在一半导体衬底上。一栅极区域形成在该鳍片的上方。在邻接该鳍片的底部的一源极区域以及一漏极区域中，一第一凹槽空腔形成于该源极区域中，以及一第二凹槽空腔形成于该漏极区域中。该第一凹槽空腔以及第二凹槽空腔包括相对于一垂直轴形成一角度的侧壁。该第一以及第二凹槽空腔的部分于该鳍片的下方延伸。于该第一凹槽空腔中，形成一第一稀土氧化物层，以及于该第二凹槽空腔中，形成一第二稀土氧化物层。

基本信息

专利标题：

形成西格玛形状源极/漏极晶格的方法、设备及系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109494155A

申请号：

CN201810910453.6

公开（公告）日：

2019-03-19

申请日：

2018-08-10

授权号：

CN109494155B

授权日：

2022-04-15

发明人：

吴旭昇宇宏

申请人：

格芯公司

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司

代理人：

程伟

优先权：

CN201810910453.6

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/06

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/334

制造单极型器件的台阶式工艺

H01L21/335

场效应晶体管

H01L21/336

带有绝缘栅的

法律状态

2022-04-15 ：

授权

2021-03-09 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/336
登记生效日 : 20210224
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯(美国)集成电路科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州

2019-04-12 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20180810

2019-03-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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