基于超晶格的PIN二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于超晶格的PIN二极管，主要解决现有GaN PIN二极管难以形成高有效掺杂P区及低载流子浓度本征区导致性能低的问题。其自下而上包括衬底(1)、N‑型层(2)、本征层(3)及P‑型层(4)，该N‑型层采用由GaN层(21)和AlxGa1‑xN层(22)周期交替排列的N‑型多沟道结构以得到高浓度载流子；本征层采用渐变Al组分的AlxGa1‑xN层或轻掺杂GaN层以得到低载流子浓度；P‑型层采用由AlxGa1‑xN层(41)和GaN层(42)周期交替排列的超晶格结构易得到高载流子浓度。两种材料交替排列的周期由实际需要决定。本发明提高了器件性能，可用于LED、微波功率及电力电子电路。
基本信息
专利标题 ：
基于超晶格的PIN二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497195A
申请号 ：
CN202210000078.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张进成刘蕙宁张燕妮党魁周弘宁静郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
陕西电子工业专利中心
代理人 ：
王品华
优先权 ：
CN202210000078.8
主分类号 ：
H01L29/15
IPC分类号 ：
H01L29/15 H01L29/20 H01L29/205 H01L29/207 H01L29/868 H01L21/329
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/15
申请日 : 20220101
申请日 : 20220101
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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