包含具超晶格的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法
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摘要
一种半导体器件，包含至少一个双势垒共振隧穿二极管(DBRTD)。该至少一个DBRTD可以包含第一掺杂半导体层以及在第一掺杂半导体层上且包含超晶格的第一势垒层。该超晶格可以包含堆叠层组，每个层组都包含用于限定基底半导体部分的多个堆叠的基底半导体单层，以及被约束于相邻的基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。所述至少一个DBRTD还可以包含在第一势垒层上的本征半导体层、在本征半导体层上的第二势垒层，以及在第二超晶格层上的第二掺杂半导体层。
基本信息
专利标题 ：
包含具超晶格的共振隧穿二极管结构的半导体器件及相关方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109791952A
申请号 ：
CN201780059910.9
公开（公告）日 ：
2019-05-21
申请日 ：
2017-08-08
授权号 ：
CN109791952B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
R·J·梅尔斯武内英树M·伊萨
申请人 ：
阿托梅拉公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN201780059910.9
主分类号 ：
H01L29/88
IPC分类号 ：
H01L29/88 H01L21/329 H01L29/15
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/88
申请日 : 20170808
申请日 : 20170808
2019-05-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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