具有包括超晶格的超突变结区域的变容二极管及相关方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体器件可以包括基板和由基板承载的超突变结区域。超突变结区域可以包括具有第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上的超晶格层，以及在超晶格层上并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二半导体层。超晶格可以包括堆叠的层组，每个层组包括限定基础半导体部分的堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。该半导体器件还可以包括耦合到超突变结区域的第一接触件和耦合到基板的第二接触件以限定变容二极管。
基本信息
专利标题 ：
具有包括超晶格的超突变结区域的变容二极管及相关方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270535A
申请号 ：
CN202080058873.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-07-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·伯顿M·海塔R·J·米尔斯
申请人 ：
阿托梅拉公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN202080058873.1
主分类号 ：
H01L29/93
IPC分类号 ：
H01L29/93 H01L29/06 H01L29/08 H01L29/15 H01L29/423 H01L29/78 H01L29/808 H01L21/329
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/93
申请日 : 20200715
申请日 : 20200715
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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