用于使用补偿阴极接触形成单掩模超突变结变容管的方法

专利权的终止

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摘要

本发明公开了一种包括具有补偿阴极接触的超突变结变容管的半导体结构，及其制造方法。所述方法包括在形成子集电极/阴极、集电极/阱和超突变结中使用的单注入掩模。

基本信息

专利标题：

用于使用补偿阴极接触形成单掩模超突变结变容管的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101099225A

申请号：

CN200580046008.0

公开（公告）日：

2008-01-02

申请日：

2005-12-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

D·D·库尔鲍S·S·富尔凯J·B·约翰逊R·M·拉塞尔

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200580046008.0

主分类号：

H01L21/20

IPC分类号：

H01L21/20 H01L29/93

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/20

半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

法律状态

2019-12-06 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/20
申请日 : 20051222
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20181222

2017-12-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/20
登记生效日 : 20171110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-12-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/20
登记生效日 : 20171110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2009-09-09 ：

授权

2008-02-27 ：

实质审查的生效

2008-01-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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