光掩模图案的校正方法及其形成方法

专利权的视为放弃

摘要

一种光掩模图案的校正方法，其先提供已根据一原始绘图数据形成有多个原始图案的测试光掩模。然后，将测试光掩模上的原始图案转移至第一光致抗蚀剂层，以对应形成多个第一显影后图案，并量测其第一尺寸。接着，对第一显影后图案进行图案微缩工艺，以对应形成多个第一微缩后图案，并量测其第二尺寸。继之，计算第一尺寸与第二尺寸的偏差值，并收集原始绘图数据、第一尺寸、第二尺寸及偏差值以得到一数据库。随后，利用数据库的数据以建立光学邻近效应修正模型。接着，根据光学邻近效应修正模型对原始绘图数据进行校正，以得到校正后绘图数据。

基本信息

专利标题：

光掩模图案的校正方法及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1940715A

申请号：

CN200510107021.4

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2005-09-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

萧立东

申请人：

力晶半导体股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510107021.4

主分类号：

G03F1/00

IPC分类号：

G03F1/00 G03F7/20 H01L21/027 G06F17/00