带有多晶硅晶粒的硅化物源极/漏极电极
授权
摘要
本发明提供一种半导体器件，其包括用于晶体管(105)的源极/漏极电极(100)。源极/漏极电极(100)包含位于源极/漏极区(115)上方的多个多晶硅晶粒(110)。金属硅化物层(120)共形地涂覆所述多个多晶硅晶粒。本发明还阐述一种制作所述器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
带有多晶硅晶粒的硅化物源极/漏极电极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101443901A
申请号 ：
CN200580046467.9
公开（公告）日 ：
2009-05-27
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马希德·M·曼苏瑞克里斯托夫·沃斯休伯
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200580046467.9
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2012-04-25 ：
授权
2009-07-22 ：
实质审查的生效
2009-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
