晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置
避免重复授权放弃专利权
摘要

一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特点是由激光源、分光器、光束整形系统、多晶硅薄膜基片、光学聚焦系统、受激拉曼光谱接收系统、拉曼数据分析并反馈系统和移动工作台组成,本实用新型可以为多晶硅薄膜的制备的同时进行在线检测,为多晶硅薄膜的制备提供最佳的能量密度,所述的检测为非破坏性测试,具有测试成本低、检测快捷等优点;更重要的是,本装置可以精确地检测多晶硅薄膜的粒度,提高优良率并增加产能。适用于产业化多晶硅薄膜的制备和实时检测,可精确检测晶粒大小并对激光能量密度实时监控。

基本信息
专利标题 :
晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820055759.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-02-27
授权号 :
CN201165564Y
授权日 :
2008-12-17
发明人 :
楼祺洪袁志军周军董景星魏运荣赵宏明
申请人 :
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 :
201800上海市800-211邮政信箱
代理机构 :
上海新天专利代理有限公司
代理人 :
张泽纯
优先权 :
CN200820055759.X
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B28/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2010-12-01 :
避免重复授权放弃专利权
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101047993491
IPC(主分类) : C30B 29/06
专利号 : ZL200820055759X
申请日 : 20080227
授权公告日 : 20081217
放弃生效日 : 20080227
2008-12-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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