浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
专利权的终止
摘要
本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径50～100微米；厚度30nm－500nm。采用有机碱进行pH值调节的低浓度镍盐溶液为浸沾溶液，非晶硅薄膜表面浸沾在该溶液中，控制无电电镀镍的量。水洗去掉多余的沉淀物。在氮气的保护下，550－590℃下退火。本发明具有良好的晶体结构和高迁移率，成本低廉，适合制备平板显示器基板和面阵传感器中的多晶硅TFT。适合于大面积衬底大批量生产高质量多晶硅薄膜，是具有重要产业应用价值的技术。
基本信息
专利标题 ：
浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773676A
申请号 ：
CN200510015747.5
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孟志国吴春亚熊绍珍赵淑云
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
300071天津市卫津路94号南开大学信息技术科学学院
代理机构 ：
天津市学苑有限责任专利代理事务所
代理人 ：
赵尊生
优先权 ：
CN200510015747.5
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2012-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101165547907
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2005100157475
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20101028
号牌文件序号 : 101165547907
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利号 : ZL2005100157475
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20101028
2008-09-17 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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