磁畴壁移动元件及磁阵列
实质审查的生效
摘要
本发明提供MR比大且磁畴壁的控制性也高的磁畴壁移动元件及磁阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件具备：磁阻效应元件，其从接近基板的一侧起依次具有参照层、非磁性层以及磁畴壁移动层；第一磁化固定层和第二磁化固定层，其分别与所述磁畴壁移动层相接，且相互分开，所述磁畴壁移动层包括包含多个插入层的铁磁性层，所述铁磁性层包含Co及Fe，且具有垂直磁各向异性，在写入时，在所述第一磁化固定层和所述第二磁化固定层之间沿着所述磁畴壁移动层流通写入电流。
基本信息
专利标题 ：
磁畴壁移动元件及磁阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373780A
申请号 ：
CN202111146579.9
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柴田龙雄佐佐木智生
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨琦
优先权 ：
CN202111146579.9
主分类号 ：
H01L27/22
IPC分类号 ：
H01L27/22 H01L43/06 H01L43/08 H01L43/10 H01L43/14
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/22
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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