磁芯结构及磁性元件

授权

摘要

本发明提供一种磁芯结构和磁性元件。磁芯结构包括第一磁盖、第二磁盖、至少两个绕线柱和至少一公用边柱。至少两个绕线柱和至少一公用边柱，设置于第一磁盖与第二磁盖之间，且至少两个绕线柱与公用边柱相对设置，公用边柱朝向至少两个绕线柱的侧面具有至少一个第一凸出部，至少一个第一凸出部朝向相邻两个绕线柱之间的空隙方向延伸。

基本信息

专利标题：

磁芯结构及磁性元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113035523A

申请号：

CN202110231755.2

公开（公告）日：

2021-06-25

申请日：

2016-05-25

授权号：

CN113035523B

授权日：

2022-05-31

发明人：

杨海军卢增艺章进法

申请人：

台达电子企业管理（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区华东路1675号1幢1层、7-8层

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

王玉双

优先权：

CN202110231755.2

主分类号：

H01F27/24

IPC分类号：

H01F27/24 H01F27/28 H01F27/30 H01F3/14