一种具有三维极性畴多量子阱的半导体发光元件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有三维极性畴多量子阱的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体，多量子阱和第二导电型半导体，所述多量子阱具有三维极性畴，形成三维极性畴量子阱；所述三维极性畴多量子阱通过In/Al元素同步震荡层和/或In/Al元素不同步震荡层形成具有金属极性和氮极性的复合三维极性畴量子阱，通过调控金属极性和氮极性的极性畴比例，控制三维空间内的载流子跃迁、迁移和辐射复合，消除量子限制Stark效应，提升电子空穴在三维极性畴界面的辐射复合效率，实现从二维空间的电子空穴辐射复合转换为三维空间的电子空穴辐射复合，提升半导体发光元件的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种具有三维极性畴多量子阱的半导体发光元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420805A
申请号 ：
CN202210095966.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴烈飞
申请人 ：
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
代理机构 ：
北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
戴丽伟
优先权 ：
CN202210095966.2
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/30 H01L33/32
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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