一种基于多铁异质结构的磁畴壁写入单元
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于多铁异质结构的磁畴壁写入单元，包括：底电极层，连接脉冲电压源；压电层，由铁电材料制成，设置于底电极层上；顶电极层，设置于压电层上，包含若干连接脉冲电压源的顶电极；磁性层，与顶电极处在同一层，由铁磁性材料制成，连接赛道存储器；所述底电极层下还设置有衬底层，整个写入单元外还设有保护层，其中磁性层的铁磁性材料具有磁各向异性，且具有磁致伸缩特性。本实用新型利用逆压电效应和磁致伸缩的逆效应，实现高存储密度，低功耗的磁畴壁写入。
基本信息
专利标题 ：
一种基于多铁异质结构的磁畴壁写入单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021578883.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-03
授权号 ：
CN212934164U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
施胜宾周浩淼邱阳杨浛朱明敏郁国良
申请人 ：
中国计量大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
尉伟敏
优先权 ：
CN202021578883.1
主分类号 ：
G11C11/22
IPC分类号 ：
G11C11/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/22
应用铁电元件的
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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