半导体异质结构
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
一种半导体器件，由生长在含有60-65％锗的，(100)取向的SiGe衬底上的，硅和锗交替的单层短周期超晶格组成、硅单层是M单层厚，而锗层是N单层厚，其中M＝2(2m+1)，取m＝0、1或2(优选为0)，而N＝2(2n+1)，，n＝1、2、3、4、5、6等。本发明公开了“非均匀的超晶格”，其中连续的Ge层具有厚度N1、N2、N3等(选自上述N值)。
基本信息
专利标题 ：
半导体异质结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035585A
申请号 ：
CN88109267.3
公开（公告）日 ：
1989-09-13
申请日 ：
1988-12-23
授权号 ：
CN1013536B
授权日 ：
1991-08-14
发明人 ：
迈克尔·安东尼·盖尔
申请人 ：
英国电讯公司
申请人地址 ：
英国英格兰
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN88109267.3
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L33/00
相关图片
法律状态
2009-04-15 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1992-05-06 ：
授权
1991-08-14 ：
审定
1990-11-21 ：
实质审查请求
1989-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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