半导体-超导体异质结构
实质审查的生效
摘要
一种器件(3)，包括：半导体的部分(4)；超导体的部分(6)，其被布置为使得具有拓扑间隙的拓扑相能够通过邻近效应而在半导体的区域中被诱发；以及非磁性材料的部分(5)，包括原子序数Z大于或等于(26)的元素，其被布置为增加半导体的拓扑区域中的拓扑间隙。
基本信息
专利标题 ：
半导体-超导体异质结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114375504A
申请号 ：
CN202080063813.9
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-06-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·I·皮库林G·C·加德纳R·L·卡拉赫G·W·温克勒S·V·格罗尼恩P·克罗格斯拉普·杰普森M·J·曼弗拉A·安提波夫R·M·卢钦
申请人 ：
微软技术许可有限责任公司
申请人地址 ：
美国华盛顿州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202080063813.9
主分类号 ：
H01L39/22
IPC分类号 ：
H01L39/22 H01L39/02 H01L39/12 H01L39/24
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 39/22
申请日 : 20200609
申请日 : 20200609
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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