半导体超导体混合器件
公开
摘要
一种半导体超导体混合器件(100)包括以夹层结构被布置在第一绝缘层和第二绝缘层(16a，16b)之间的半导体层(10)、以及被布置在半导体层的边缘(14)之上以实现半导体与超导体之间的能级杂化的超导体层(12)。优选地，还包括用于能级杂化的静电控制的栅极电极(20)。该器件可能在量子计算机中很有用。还提供了一种制造该器件的方法、以及一种在该器件中诱导拓扑行为的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体超导体混合器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600262A
申请号 ：
CN202080073351.9
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·W·温克勒R·M·卢钦L·P·考恩霍文F·卡里米
申请人 ：
微软技术许可有限责任公司
申请人地址 ：
美国华盛顿州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
酆迅
优先权 ：
CN202080073351.9
主分类号 ：
H01L39/22
IPC分类号 ：
H01L39/22 H01L39/10 H01L39/16 H01L39/24 G06N10/00 B82Y10/00
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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