半导体-超导体混合器件、其制造和用途
公开
摘要
半导体‑超导体混合器件(200)包括半导体(10)、超导体(18)以及在超导体和半导体之间的势垒(14)。该器件被配置为使得实现在半导体和超导体之间的能级杂化。势垒被配置为增加器件的拓扑间隙。势垒允许控制半导体和超导体之间的杂化程度。另外的方面提供了一种包括该器件的量子计算机、一种制造该器件的方法以及一种在该器件中诱发拓扑行为的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体-超导体混合器件、其制造和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600261A
申请号 ：
CN202080074202.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·W·温克勒R·M·卢钦G·C·加德纳R·L·卡拉赫S·V·格罗尼恩M·J·曼弗拉F·卡里米
申请人 ：
微软技术许可有限责任公司
申请人地址 ：
美国华盛顿州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
酆迅
优先权 ：
CN202080074202.4
主分类号 ：
H01L39/10
IPC分类号 ：
H01L39/10 H01L39/16 H01L39/22 H01L39/24 H01L29/06 H01L29/205 H01L29/423 H01L29/76 G06N10/40 B82Y10/00
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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