本发明公开了一种基于氧化镓的异质结半导体结构，结构包括：至少一氧化镓基层，氧化镓基层具备多个接触表面；至少一铜铁矿层，铜铁矿层通过接触表面与氧化镓基层形成异质结结构。通过该结构，本发明实现了禁带宽度的匹配、导带的匹配以及价带的匹配，提高了该结构的电流输运能力；另外，该异质PN结结构还实现了晶体结构的匹配，避免了在该异质PN结的接触面形成大量的位错缺陷，提高了PN结的正向输运性能、采用该结构的器件导通电阻以及器件性能稳定性；最后，铜铁矿材料的制备工艺简单，可以直接采用类似溶胶凝胶法或水热合成法形成，极大地降低了该结构的制备成本和流程，易于实现大规模的工业化生产。