生长准单畴超导块材装置
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本实用新型涉及一种生长准单畴超导块材装置。它包括一个立式管状电阻炉和安装在炉壁上的温度传感器，所述的立式管状电阻炉的炉膛中心放置一个搁置超导块材样品的伞状支架，所述的伞状支架的顶面离炉底高度与所述的温度传感器安装位置离炉底高度相同。实验证明，利用本实用新型提供的装置，能烧结出YBaCuO单畴超导块材，直径为20毫米磁悬浮力每平方厘米13牛顿的理想的准单畴超导块材。
基本信息
专利标题 ：
生长准单畴超导块材装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620041455.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-04-28
授权号 ：
CN2910924Y
授权日 ：
2007-06-13
发明人 ：
邱静和徐克西
申请人 ：
上海大学
申请人地址 ：
200444上海市宝山区上大路99号
代理机构 ：
上海上大专利事务所
代理人 ：
何文欣
优先权 ：
CN200620041455.9
主分类号 ：
C04B35/00
IPC分类号 ：
C04B35/00 C04B35/64 C04B35/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
法律状态
2009-07-01 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-06-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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