利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法

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摘要

本发明提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法，包括以下步骤：配制RE123和RE211纯相粉末，按照RE123+30mol％RE211+1wt％CeO2的组分配料，充分碾磨混合均匀，得到前驱粉料；根据模具直径不同，将所述粉料称取合适质量，放入模具，压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2～3个和前驱体1个；将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置；所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构；其中，所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心，所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方，所述缓冲层沿所述籽晶[110]晶向排列成一列；将所述放置好的前驱体连同和所述单籽晶桥式结构置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，以实现(110)∥(110)取向诱导生长REBCO超导块材。

基本信息

专利标题：

利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113430646A

申请号：

CN202110711199.9

公开（公告）日：

2021-09-24

申请日：

2021-06-25

授权号：

CN113430646B

授权日：

2022-05-13

发明人：

姚忻朱彦涵

申请人：

上海交通大学

申请人地址：

上海市闵行区东川路800号

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

成丽杰

优先权：

CN202110711199.9

主分类号：

C30B29/22

IPC分类号：

C30B29/22 C30B11/14