一种无籽晶诱导的熔融法生长REBCO高温超导准单晶的方法
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摘要
本发明公开了一种无籽晶诱导的熔融法生长REBCO高温超导准单晶的方法，包括步骤：a)按照RE：Ba：Cu＝1：2：3的摩尔比配置并充分混合制备粉末；b)将a)中制备好的粉末反复烧结研磨三次，最后过筛获得REBa2Cu3O6.5前驱体粉末；c)称取一定量的b)中制备好的REBa2Cu3O6.5前驱体粉末，加入一定量的CeO粉末和过渡金属氧化物，充分混合，压制成料棒；d)将c)中制得的料棒放入管式炉中，利用无籽晶诱导的熔融法生长REBCO高温超导准单晶；本发明通过添加一定量的CeO粉末和过渡金属氧化物，优化熔化和生长温度以及时间，有效减少了晶体生长时熔体的流失，缩短了制备周期，生长出了REBCO高温超导准单晶。
基本信息
专利标题 ：
一种无籽晶诱导的熔融法生长REBCO高温超导准单晶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113430647A
申请号 ：
CN202110713147.5
公开（公告）日 ：
2021-09-24
申请日 ：
2021-06-25
授权号 ：
CN113430647B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
姚忻万炎高强周嘉懿
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202110713147.5
主分类号 ：
C30B29/22
IPC分类号 ：
C30B29/22 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-10-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/22
申请日 : 20210625
申请日 : 20210625
2021-09-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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