碘酸钾单晶的单畴化方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明给出了一种碘酸钾单晶的单畴化和去孪晶的方法。将碘酸钾晶体放入极化炉的硅油中，给晶体加热、加电场，或给晶体加热、加电场和加压力，在相变点72℃或212℃附近采用“温度振荡法”来消除晶体的孪晶和多畴结构(温度振荡范围为65℃-85℃或200℃-235℃)，从而可获得光学均匀性好，满足光学器件制作要求的单畴碘酸钾晶体。本发明方法简便，易于操作。
基本信息
专利标题 ：
碘酸钾单晶的单畴化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1059570A
申请号 ：
CN91109478.4
公开（公告）日 ：
1992-03-18
申请日 ：
1991-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王琇张海龙李和平肖定全焦志峰
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
610064四川省成都市九眼桥四川大学
代理机构 ：
四川大学专利事务所
代理人 ：
刘双兰
优先权 ：
CN91109478.4
主分类号 ：
C30B33/04
IPC分类号 ：
C30B33/04 C30B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/04
用电场或磁场或粒子辐射
法律状态
1994-04-20 ：
专利申请的视为撤回
1992-03-18 ：
公开
1992-02-26 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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