一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用
授权
摘要
本发明提供了一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用。所述磷酸二氢钾类单晶光纤为四方相磷酸二氢钾单晶光纤、单斜相磷酸二氢钾单晶光纤、四方相磷酸二氘钾单晶光纤或单斜相磷酸二氘钾单晶光纤。上述光纤的制备方法，包括步骤：将磷酸二氢钾(KDP)加入溶剂中，密封加热溶解得到澄清磷酸二氢钾溶液；将所得溶液在70‑90℃过热48小时，之后过滤至生长槽中，冷却至0‑30℃，得到过饱和溶液；向上述过饱和溶液中加入晶种，在生长槽密封状态下生长，生长得到单晶光纤。本发明的生长方法，成功率高，重复性好。本发明的光纤拥有极大的长径比，光纤直径可控，表面光滑，光纤质量高，可应用于微型非线性频率转换及电光器件的制备。
基本信息
专利标题 ：
一种磷酸二氢钾类单晶光纤及其生长方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111876827A
申请号 ：
CN202010701740.3
公开（公告）日 ：
2020-11-03
申请日 ：
2020-07-21
授权号 ：
CN111876827B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
任燕刘雪妮张承乾
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市历城区山大南路27号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王素平
优先权 ：
CN202010701740.3
主分类号 ：
C30B29/22
IPC分类号 ：
C30B29/22 C30B7/08 G02B6/02 G02F1/35 G02F1/355
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-11-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/22
申请日 : 20200721
申请日 : 20200721
2020-11-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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