定型单晶的生长方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
高熔点透明金属化合物定型单晶制法包括利用加热器使惰性气氛中的原料溶化，通过成型器的毛细系铳将熔体从熔化区连续输送到结晶区中，再从内拉出单晶，最后冷却单晶，原料溶化前，须往内加入1颗控温用原料粒，此粒溶化之际，记录加热器的功率P。在原料熔化过程中，功率为(1.04-1.1)P，使晶种呈微熔态时，功率为(1.03-1.08)P，长大过程中，功率为(1.02-1.08)P，拉单晶时，功率为(1.02-1.22)P。
基本信息
专利标题 ：
定型单晶的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87108014A
申请号 ：
CN87108014.1
公开（公告）日 ：
1988-06-08
申请日 ：
1987-11-25
授权号 ：
CN1010037B
授权日 ：
1990-10-17
发明人 ：
米特里·亚科夫利维奇·克拉维斯基利夫·马科维奇·萨图洛斯基利奥尼德·彼特罗维奇·埃格罗伯里斯·本希奥诺维奇·彼尔茨莱奥尼德·萨穆洛维奇·奥康埃费姆·阿莱克桑德罗维奇·弗里曼维克托尔·瓦希利维奇·阿沃亚诺阿莱克桑德·沃维奇·阿利寿夫
申请人 ：
全苏电热工设备科研、设计、结构和工艺所
申请人地址 ：
苏联莫斯科
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
唐跃
优先权 ：
CN87108014.1
主分类号 ：
C30B15/34
IPC分类号 ：
C30B15/34 C30B29/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
1995-01-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-05-15 ：
授权
1990-10-17 ：
审定
1989-10-18 ：
实质审查请求
1988-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
