碘酸钾晶体的去孪去畴方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明为KIO3晶体的去孪去畴方法，属于晶体的后处理技术领域。KIO3晶体为非线性光学材料，可制作效应较高的光学器件，因其电畴和孪晶较复杂，目前尚无去孪去畴的方法，从而限制了该晶体的应用，本发明方法可使KIO3晶体去孪去畴，为该晶体制作成器件并加以应用提供了优良的材料。
基本信息
专利标题 ：
碘酸钾晶体的去孪去畴方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1070010A
申请号 ：
CN91106528.8
公开（公告）日 ：
1993-03-17
申请日 ：
1991-08-31
授权号 ：
CN1023822C
授权日 ：
1994-02-16
发明人 ：
尹鑫吕孟凯
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
250100山东省济南市山大南路27号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
许德山
优先权 ：
CN91106528.8
主分类号 ：
C30B33/04
IPC分类号 ：
C30B33/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/04
用电场或磁场或粒子辐射
法律状态
1995-10-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-02-16 ：
授权
1993-06-30 ：
实质审查请求的生效
1993-03-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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