铌酸锂晶体微区周期性畴结构的制备方法
专利权的终止
摘要

一种铌酸锂晶体微区周期性畴结构的制备方法,该方法的步骤是:对LiNbO3单晶进行定向,垂直于晶轴方向为面切割成长方体晶片,晶片表面抛光,光洁度优于Ⅲ级;将所述的LiNbO3晶片置于相干飞秒激光装置的相干场靶位上,使相干的飞秒激光沿所述的LiNbO3晶片的C轴入射辐照,入射能量在100~500mw,辐照时间超过30秒。利用本发明方法可在铌酸锂晶体中制备出微区周期性畴结构。

基本信息
专利标题 :
铌酸锂晶体微区周期性畴结构的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1786804A
申请号 :
CN200510111595.9
公开(公告)日 :
2006-06-14
申请日 :
2005-12-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朋汉林潘守夔姜本学林礼煌
申请人 :
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 :
201800上海市800-211邮政信箱
代理机构 :
上海新天专利代理有限公司
代理人 :
张泽纯
优先权 :
CN200510111595.9
主分类号 :
G02F1/35
IPC分类号 :
G02F1/35  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/19
•• G02F1/015至G02F1/167不包括的基于可变的反射或折射元件的
G02F1/35
非线性光学
法律状态
2013-02-13 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101395328413
IPC(主分类) : G02F 1/35
专利号 : ZL2005101115959
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20071205
终止日期 : 20111216
2007-12-05 :
授权
2006-08-09 :
实质审查的生效
2006-06-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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