一种垂直区熔炉及利用其制备铋化镁基热电晶体的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种垂直区熔炉及利用其制备铋化镁基热电晶体的制备方法，所述垂直区熔炉自上而下依次包括加热模块Ⅰ、隔断层Ⅰ、加热模块Ⅱ、隔断层Ⅱ和加热模块Ⅲ；所述垂直区熔炉中使用的坩埚包括双镀碳石英管或氮化硼坩埚‑石英管联用，能够减缓镁熔体和蒸汽腐蚀，保证晶体生长成功；利用该垂直区熔炉制得的铋化镁基热电晶体尺寸大，具有良好的热电性能和机械性能，且方法简单，易于工业化。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直区熔炉及利用其制备铋化镁基热电晶体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481290A
申请号 ：
CN202210136462.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何佳清胡明远王江舵
申请人 ：
深圳热电新能源科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区吉华街道甘李工业园甘李六路12号中海信创新产业城13栋C501-510
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
潘登
优先权 ：
CN202210136462.0
主分类号 ：
C30B13/00
IPC分类号 ：
C30B13/00 C30B13/14 C30B29/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 13/00
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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