一种吸收区独立且带有周期性光控单元的双极晶体管型硅基光探...
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种吸收区独立且带有周期性光控单元的双极晶体管型硅基光探测器。该探测器制备于SOI衬底上，刻蚀外延片表面部分n型多晶硅层并沉积二氧化硅形成隔离区，将探测器划分为两个相对独立的区域，分别是异质结双极型晶体管区和独立pn结光吸收区。n型多晶硅层作为晶体管发射区，p型SiGe层作为晶体管基区，n型硅层作为晶体管集电区，SOI衬底顶硅层作为晶体管次集电区。独立pn结吸收区由n型多晶硅层和p型SiGe层构成的SiGe/Si pn结，以及n型多晶硅层表面的光窗口组成。独立pn结光吸收区中制备周期性排列的空气孔，形成光控制单元，控制入射光在吸收区的传输方向由垂直传输转化为水平传输。本器件分离了光探测吸收和光电流放大，分别优化吸收区结构参数和双极型晶体管的结面积，能保证光探测器既具备高速响应又拥有更高效的光吸收效率。
基本信息
专利标题 ：
一种吸收区独立且带有周期性光控单元的双极晶体管型硅基光探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551633A
申请号 ：
CN202210183019.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢红云纪瑞朗向洋沙印朱富申晓婷
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘萍
优先权 ：
CN202210183019.9
主分类号 ：
H01L31/11
IPC分类号 ：
H01L31/11 H01L31/0312
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/11
申请日 : 20220227
申请日 : 20220227
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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