一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制备装置技术领域，更具体而言，涉及一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置，包括PBN坩埚、石英管、加热器，石英管放置在炉芯上，石英管与炉芯之间设置有保温支撑，炉芯内设置有玻璃棒；PBN坩埚与石英管设置在保温装置内，保温装置为下部开口的中空筒状结构，保温装置内壁镶嵌有加热器，通过多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热，多组加热器独立运作，实现不同部位不同温度的加热；通过底部玻璃棒提供热流失通道；在石英管与坩埚之间设置有保温支撑，阻挡石英支撑管散热，均化温场，避免温场倒置，易生长出合格单晶，孪晶率下降至20%，提高晶体生长效率，提高经济效益。
基本信息
专利标题 ：
一种基于VGF法的减少GaAs晶体孪晶的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921656034.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN210711818U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
柴晓磊梁李虎冯江峰
申请人 ：
山西中科晶电信息材料有限公司
申请人地址 ：
山西省运城市绛县开发区陈村（山西冲压厂西50米）
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
申绍中
优先权 ：
CN201921656034.0
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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