一种晶体生长引晶装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体生长引晶装置，包括籽晶杆；旋转伺服电机，与所述籽晶杆驱动连接；升降支撑臂，承载所述旋转伺服电机；保护管件，套设于所述籽晶杆靠近所述升降支撑臂的一端部；波纹管，套设于所述籽晶杆远离所述升降支撑臂的一端部；减震支架，一端连接所述保护管件，另一端连接所述升降支撑臂；以及重量感应器，设置于所述保护管件，且位于所述减震支架一端与所述升降支撑臂之间。所述晶体生长引晶装置中，减震支架设置在重量感应器与波纹管之间，将重量感应器与波纹管进行隔离，进而隔离波纹管震动和弹力的影响，能够保证重量感应器的称重精确度，从而进一步提高晶体生长的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长引晶装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921180145.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN210657220U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
王宗
申请人 ：
王宗
申请人地址 ：
甘肃省兰州市兰州新区白龙江路777号
代理机构 ：
北京风雅颂专利代理有限公司
代理人 ：
王刚
优先权 ：
CN201921180145.9
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B15/28
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
