铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件

授权

摘要

本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X切向或非极性的Y切向的晶体。本发明提供的制备方法对样品结构无要求，无需底电极，且能够制备出任意图案且完整的畴结构。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。

基本信息

专利标题：

铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113943978A

申请号：

CN202111195202.2

公开（公告）日：

2022-01-18

申请日：

2021-10-13

授权号：

CN113943978B

授权日：

2022-06-14

发明人：

张国权钱月照张子晴许京军

申请人：

南开大学

申请人地址：

天津市南开区卫津路94号

代理机构：

北京华进京联知识产权代理有限公司

代理人：

王勤思

优先权：

CN202111195202.2

主分类号：

C30B33/04

IPC分类号：

C30B33/04 C30B29/30