一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件,在薄膜基体上制备第一掩膜;向薄膜基体注入第一离子,在薄膜基体内形成第一注入层;去除第一掩膜;在薄膜基体上制备第二掩膜,第二掩膜的图案与第一掩膜的图案相反;向薄膜基体上注入第二离子,在薄膜基体内形成第二注入层,第二注入层的图案与第一掩膜相同;去除第二掩膜;将薄膜基体与支撑基板键合,得到键合体;对键合体热处理,使薄膜基体在第一注入层和第二注入层处分离,得到电光晶体薄膜。通过两次离子注入,剥离掉余质层后可以得到具备光波导结构的电光晶体薄膜,这样既可以避免刻蚀方法制备光波导结构对薄膜层带来损伤,又可以避免对薄膜材料刻蚀效率低下的问题。
基本信息
专利标题 :
一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114355635A
申请号 :
CN202210049833.1
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2022-01-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王金翠张涛连坤罗具廷刘金鹏张文化
申请人 :
济南晶正电子科技有限公司
申请人地址 :
山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806
代理机构 :
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 :
逯长明
优先权 :
CN202210049833.1
主分类号 :
G02F1/03
IPC分类号 :
G02F1/03 G02F1/035 G03F1/76
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/03
基于陶瓷或电—光晶体的,例如,显示泡克耳斯或科尔效应的
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02F 1/03
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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