单畴热释电双掺硫酸甘氨酸晶体的水溶液生长
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
水溶液生长双掺单畴热释电晶体ATGSAs的水溶生长，属于溶液降温生长晶体的技术领域。将甘氨酸，硫酸，L-丙氨酸和砷酸按比例溶于一定体积的蒸馏水中，装入生长瓶。在单畴性好的ATGSAs或ATGS上切取片状晶种，用夹具固定，沿(010)面推移生长。周期40天左右。本发明方法简便，安全，效果良好，宜于推广应用。
基本信息
专利标题 ：
单畴热释电双掺硫酸甘氨酸晶体的水溶液生长
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86101972A
申请号 ：
CN86101972.5
公开（公告）日 ：
1987-09-30
申请日 ：
1986-03-22
授权号 ：
CN1003658B
授权日 ：
1989-03-22
发明人 ：
房昌水王民张克从
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市郊区洪家楼5号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
孙君
优先权 ：
CN86101972.5
主分类号 ：
C30B29/54
IPC分类号 ：
C30B29/54 C30B7/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/54
有机化合物
法律状态
1991-08-07 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-11-08 ：
授权
1989-03-22 ：
审定
1988-08-10 ：
实质审查请求
1987-09-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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