薄膜制备设备
授权
摘要
本实用新型公开一种薄膜制备设备,其包括:反应腔室;竖直设置在所述反应腔室内的第一注入管,设置有多个沿所述第一注入管依次排列的第一注入孔;设置在所述反应腔室内的第二注入管,包括沿竖直方向延伸的第一管段,设置有多个沿所述第一管段依次排列的多个第二注入孔;第二管段,其一端连通于所述第一管段的顶端、其另一端用于通入第一反应气体;其中,所述第一注入管的底端用于通入第一反应气体。采用这种薄膜制备设备在多个晶圆上生成薄膜,位于反应腔室上部的晶圆和位于反应腔室底部的晶圆其表面上生长出的薄膜的厚度趋于一致。
基本信息
专利标题 :
薄膜制备设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921666202.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-30
授权号 :
CN210916247U
授权日 :
2020-07-03
发明人 :
郑耿豪
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 :
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 :
龙威壮
优先权 :
CN201921666202.4
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-07-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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