一种纳米薄膜制备设备
授权
摘要
本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其是指一种纳米薄膜制备设备，第一反应源持续性的通入反应腔室，第二反应源采用脉冲方式通入反应腔室与第一反应源反应，从而在基底上沉积形成薄膜，调节第二反应源的脉冲次数比可精确控制多组分薄膜中不同元素的组分比，多组分薄膜的厚度可有超循环数控制，并且反应腔室可加热到较高的温度，则可以实现在原子尺度精确控制薄膜的厚度，从而实现可高温制备薄膜并且薄膜结晶度及厚度可控的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米薄膜制备设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122640181.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
CN216337944U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李湘林苏郁清
申请人 ：
湖南第一师范学院
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区枫林三路1015号湖南第一师范学院
代理机构 ：
东莞市华南专利商标事务所有限公司
代理人 ：
莫鹏飞
优先权 ：
CN202122640181.2
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/44 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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