一种纳米硅薄膜的制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
用等离子化学沉积系统制备纳米硅薄膜的方法，首先启动抽真空系统将反应室内真空度达到2×10-3乇，打开电炉加热，衬底温升到一定温度，将纯度为99.999％的氢气注入反应室内，打开R.F交流电源，保持反应室内为2×10-3乇真空度，通入混合的硅烷气，调整合适的交流电源功率，打开D.C电源，调好直流负偏压值，即开始沉积并结成纳米硅薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米硅薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1075173A
申请号 ：
CN92114905.0
公开（公告）日 ：
1993-08-11
申请日 ：
1992-12-28
授权号 ：
CN1032659C
授权日 ：
1996-08-28
发明人 ：
何宇亮
申请人 ：
北京航空航天大学
申请人地址 ：
100083北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
北京市第九专利代理事务所
代理人 ：
李有浩
优先权 ：
CN92114905.0
主分类号 ：
C23C16/24
IPC分类号 ：
C23C16/24 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/24
仅沉积硅
法律状态
1998-02-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-08-28 ：
授权
1993-08-11 ：
公开
1993-08-04 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1032659C.PDF
PDF下载
2、
CN1075173A.PDF
PDF下载
