薄膜制备设备
授权
摘要
本实用新型公开一种薄膜制备设备，其包括：反应腔室；多个用于向所述反应腔室内输入第一反应气体的第一注入口，多个所述第一注入口在所述反应腔室内沿竖直方向依次排列；多个用于向所述反应腔室内输入第二反应气体的第二注入口，多个所述第二注入口在所述反应腔室内沿竖直方向依次排列；用于向所述反应腔室内输入稀释气体的第三注入口，设置在所述反应腔室的底端；其中，多个所述第一注入口和多个所述第二注入口越靠近所述反应腔室的底端，其输出流量越大。采用这种薄膜制备设备在多个晶圆上生成薄膜，位于反应腔室上部的晶圆和位于反应腔室底部的晶圆其表面上生长出的薄膜的厚度趋于一致。
基本信息
专利标题 ：
薄膜制备设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921125037.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-17
授权号 ：
CN210560741U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
刘满成
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙威壮
优先权 ：
CN201921125037.1
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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