一种薄膜测厚与修整设备、镀膜系统及薄膜制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种薄膜测厚与修整设备、PVD镀膜系统及薄膜制备方法。所述薄膜测厚与修整设备，包括载片装置、测厚装置、修膜装置、传送装置和PLC控制装置；载片装置包括具有载片腔的第一壳体，载片腔中放置用于容置晶片的载片器；测厚装置包括X射线荧光测量装置和激光共焦显微测量装置；修膜装置包括具有修膜腔的第四壳体；修膜腔中分别设有修膜载片台以及用于对晶片表面进行清理和修平处理的聚焦离子束装置；传送装置包括具有传送腔的第五壳体；传送腔中设有用于取放晶片的机械手；PLC控制装置分别与前述装置连接。采用本发明的薄膜测厚与修整设备、镀膜系统及薄膜制备方法，可以获得薄膜厚度均匀性≤0.1％的4‑8英寸晶片。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜测厚与修整设备、镀膜系统及薄膜制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481097A
申请号 ：
CN202210102121.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李国强
申请人 ：
河源市艾佛光通科技有限公司
申请人地址 ：
广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边办公区二楼
代理机构 ：
广州容大知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何雪霞
优先权 ：
CN202210102121.1
主分类号 ：
C23C16/52
IPC分类号 ：
C23C16/52 C23C14/54 C23C14/35 C23C14/06 C23C14/16 C23C14/56 C23C14/58 C23C16/56 C23C16/34 C23C16/06 C23C16/54 H03H3/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/52
镀覆工艺的控制或调整
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/52
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
