具有多晶硅薄膜的半导体器件
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种具有多晶硅薄膜的半导体器件。在多晶硅薄膜的晶体结构中，具有约80cm2/v·sec的场效应迁移率，晶粒大小约为200nm，在(111)晶面上微晶尺寸大约为180nm，微晶的尺寸与一个晶粒的整个的单晶化的部分相等。获得场效应迁移率μFE约为80cm2/v·sec的条件是(111)晶面上微晶尺寸至少为180nm(测量值)。
基本信息
专利标题 ：
具有多晶硅薄膜的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1076551A
申请号 ：
CN93101559.6
公开（公告）日 ：
1993-09-22
申请日 ：
1993-02-26
授权号 ：
CN1026041C
授权日 ：
1994-09-28
发明人 ：
山口道也
申请人 ：
卡西欧计算机公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
张天舒
优先权 ：
CN93101559.6
主分类号 ：
H01L29/04
IPC分类号 ：
H01L29/04 H01L29/784 H01L21/322
相关图片
法律状态
2013-04-03 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101429918079
IPC(主分类) : H01L 29/04
专利号 : ZL931015596
申请日 : 19930226
授权公告日 : 19940928
期满终止日期 : 20130226
号牌文件序号 : 101429918079
IPC(主分类) : H01L 29/04
专利号 : ZL931015596
申请日 : 19930226
授权公告日 : 19940928
期满终止日期 : 20130226
1994-09-28 ：
授权
1993-09-22 ：
公开
1993-09-15 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
CN1026041C.PDF
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