氮化钛薄膜生长方法及其半导体器件
公开
摘要
本发明公开了一种氮化钛薄膜生长方法，包括：步骤1，在装载区域将硅片放入晶舟，将晶舟升入炉管机台内的反应室，生长第一氮化钛薄膜；步骤2，将所述晶舟下降到装载区域，在所述装载区域内通入空气，使所述硅片在装载区域放置预设时间，在所述第一氮化钛薄膜上形成氧化钛层；步骤3，将所述晶舟升入炉管机台内的反应室，生长第二氮化钛薄膜。与现有技术相比，本发明通过控制氧化钛层的厚度，使最终的氮化钛薄膜的厚度可控，无需反复测量，也无需将硅片因达不到预定厚度而反复进出炉管机台内的反应室进行沉积，增加了产能。
基本信息
专利标题 ：
氮化钛薄膜生长方法及其半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300349A
申请号 ：
CN202111441718.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郝燕霞
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭立
优先权 ：
CN202111441718.0
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 C23C16/34 C23C16/40 C23C16/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
