使用钛种子层在不含氮化硅界面的硅衬底上生长氮化钛的方法
公开
摘要
直接在衬底(Si)的表面上由钛Ti源形成Ti种子层，该表面基本上不含氧化物和氮化物。之后，从氮等离子体源引入反应性氮物质并从Ti源引入附加的Ti，以使得氮等离子体与Ti种子层反应并与附加的Ti反应以形成直接接触衬底的表面的TiN超导层。方法同样适用于形成钼、钽、钨、钒或锆的氮化物。
基本信息
专利标题 ：
使用钛种子层在不含氮化硅界面的硅衬底上生长氮化钛的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114630923A
申请号 ：
CN202080076670.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·普什普B·马东M·A·姆伊德
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN202080076670.5
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/50 C23C16/02 C23C14/16 C23C28/00 H01L39/24 H01P7/00 H01P11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
