具有锗化硅材料和受应力氮化硅层的衬底
专利权的终止
摘要
一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底上提供搀杂硅区域，并且在衬底上邻近该搀杂硅区域形成锗化硅材料。受应力氮化硅层被形成在衬底上的搀杂硅区域的至少一部分上。锗化硅层和受应力氮化硅层在衬底上的搀杂硅区域中引入应力。在一个版本中，半导体器件具有源极区域和漏极区域的晶体管，其中源极区域和漏极区域具有锗化硅材料，并且搀杂硅区域形成配置为在源极区域和漏极区域之间导通电荷的沟道。受应力氮化硅层形成在该沟道的至少一部分上，并且根据期望的器件特性可以是受拉应力或压应力的层。
基本信息
专利标题 ：
具有锗化硅材料和受应力氮化硅层的衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822337A
申请号 ：
CN200610001186.8
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蕾扎·阿嘎娃尼
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
赵飞
优先权 ：
CN200610001186.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2016-03-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101650104644
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100011868
申请日 : 20060113
授权公告日 : 20111116
终止日期 : 20150113
号牌文件序号 : 101650104644
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100011868
申请日 : 20060113
授权公告日 : 20111116
终止日期 : 20150113
2011-11-16 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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