一种氮化镓生长衬底的制作方法
授权
摘要
本发明涉及一种氮化镓生长衬底制作方法，属于晶体材料生长技术领域。所述生长衬底的制作方法是通过MOCVD在衬底晶体材料上先沉积一层硅，再通过蒸镀的方式在硅层上蒸镀一层金属镓，之后通入氧气气氛高温环境下使硅层和镓层氧化，之后使用氢氟酸对氧化层进行刻蚀形成氮化镓生长缓冲层，通过本发明设计的制作方法制作的氮化镓生长衬底材料的重复性好，其用于氮化镓生长具有位错密度低、生长晶体残余应力小的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓生长衬底的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111354628A
申请号 ：
CN202010201435.8
公开（公告）日 ：
2020-06-30
申请日 ：
2020-03-20
授权号 ：
CN111354628B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
石恒业邵永亮张保国胡海啸李仕蛟
申请人 ：
山东科恒晶体材料科技有限公司
申请人地址 ：
山东省淄博市淄川经济开发区胶王路辅道以北、西十二路以东
代理机构 ：
北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
左海明
优先权 ：
CN202010201435.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-07-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200320
申请日 : 20200320
2020-06-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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