本申请公开了一种氮化镓衬底剥离方法，包括：获取上表面直接生长有氮化镓外延结构的氮化镓衬底；利用激光光束经外延结构对氮化镓衬底内部进行扫描照射，在氮化镓衬底内产生分解层；激光光束为脉冲宽度小于10^‑15s量级的激光，分解层与氮化镓衬底的上表面的距离小于氮化镓衬底的厚度；将氮化镓衬底在分解层处分离，得到剥离后氮化镓衬底和半导体器件。本申请在由氮化镓外延结构到氮化镓衬底的方向上，用激光光束照射氮化镓衬底，使氮化镓衬底内部发生热分解反应，氮化镓衬底在分解层处分离，得到单纯的剥离后氮化镓衬底和半导体器件，即在得到半导体器件的同时实现了氮化镓衬底的剥离，剥离后氮化镓衬底可以重复利用，降低氮化镓衬底的成本。