一种半导体薄膜剥离及转移衬底的方法
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摘要
本发明公开了一种半导体薄膜剥离及转移衬底的方法，包括：制备半导体薄膜基底结构，所述半导体薄膜基底结构包括层叠的第一衬底层、若干籽晶结构和半导体薄膜层，且所述若干籽晶结构之间有孔洞且相互连通；将所述若干籽晶结构和所述半导体薄膜层从所述第一衬底层剥离；将所述若干籽晶结构远离所述半导体薄膜层的一侧与第二衬底层结合，完成半导体薄膜的剥离及转移衬底的过程。本发明的薄膜剥离及转移衬底的方法能够兼容各种外延衬底材料，同时还可以保留器件外延层薄膜的平滑表面，不影响在外延层薄膜上生长其它用于制备器件的功能层的后续工艺加工。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体薄膜剥离及转移衬底的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110783170A
申请号 ：
CN201910668607.X
公开（公告）日 ：
2020-02-11
申请日 ：
2019-07-23
授权号 ：
CN110783170B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
姜涛
申请人 ：
乂馆信息科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市虹口区海宁路137号7层E座735G室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李园园
优先权 ：
CN201910668607.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L29/06 H01L33/00 H01L33/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-03-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190723
申请日 : 20190723
2020-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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